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机构：三星电子去年员工人均年薪同比减11.1%，约合人民币64.8万元左右
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3月5日发布的一份报告显示，2023年三星电子员工人均年薪同比下降11.1%，约为1.2亿韩元左右。根据三星电子上月提交的2023年度个别报表，研究所对未登记高管和部长级以下一线员工的人均年薪进行了推算，并得出了上述结论。
金融界03-05 16:58
AI需求强劲三星和SK海力士考虑增加高价值DRAM产量
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强劲，HBM和DDR5的订单有望增加，三星电子和SK海力士加强对高价值DRAM产品的关注，正在考虑增加工厂的半导体晶圆投入量，以加快向10纳米第四代和第五代版本的过渡，生产HBM、DDR5和LP-DDR5等高价值产品。
金融界03-04 17:50
亚太主要股指收盘涨跌参半日经225指数史上首次站上4万点关口韩国综合指数涨1.21%
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SK海力士涨近7%，浦项制铁涨超6%，三星电子、现代汽车涨约2%。日经225指数涨0.5%报40109.23点，史上首次站上4万点关口。个股方面，基恩士涨近3%，东京电子涨超2%，日立涨近2%，任天堂跌近2%，索尼跌超1%。澳洲标普200指数收跌0.13%报7735.80点，盘中一度创出历史新高。新西兰标普50指数跌0.17%报11724.21点。
金融界03-04 16:51
三星申请集成电路器件专利，实现集成电路器件的优化构造
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年3月2日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“包括集成绝缘体的集成电路器件及其形成方法“，公开号CN117637754A，申请日期为2023年8月。专利摘要显示，本公开提供了包括集成绝缘体的集成电路器件及其形成方法。一种集成电路器件可以包括在基板上的上晶体管。上晶体管可以包括上沟道区。集成电路器件还可以包括在基板和上晶体管之间的下晶体管。下晶体管可以包括下沟道区。集成电路器件还可以包括在下沟道区和上沟道区之间的集成绝缘体。集成绝缘体可以包括外层和在外层中的内层，其中内层和外层包括不同的材料。
金融界03-02 08:28
三星申请非易失性存储器专利，提高存储装置的操作效率
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年3月2日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“包括非易失性存储器的存储装置及其操作方法“，公开号CN117637002A，申请日期为2023年8月。专利摘要显示，提供了存储装置及其操作方法。所述存储装置包括存储控制器和多个非易失性存储器件(NVM)。在存储控制器处从主机接收多个原始数据块。在存储控制器处基于多个原始数据块生成原始奇偶校验块。多个原始数据块和原始奇偶校验块被存储在多个NVM中的相应的NVM中，其中，多个原始数据块中的第一原始数据块被存储在多个NVM中的第一NVM中，其中，原始奇偶校验块被存储在多个NVM中的第二NVM中。在存储了多个原始数据块和原始奇偶校验块之后，在存储控制器处从主机接收与第一原始数据块相对应的新数据块。新数据块被存储在第一NVM中。在第二NVM处基于原始奇偶校验块并且基于第一原始数据块与新数据块之间的差异生成新奇偶校验块。
金融界03-02 08:27
三星申请半导体封装专利，该专利技术能实现提供一种半导体封装
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年3月2日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体封装“，公开号CN117637656A，申请日期为2023年8月。专利摘要显示，提供了一种半导体封装。该半导体封装包括：再分布结构，该再分布结构包括多个再分布导电图案、连接到所述多个再分布导电图案中的至少一个的多个导电通路、连接到所述多个导电通路的多个下焊盘、以及与所述多个再分布导电图案交替的多个再分布绝缘层；布置在再分布结构上的半导体芯片；以及附接到再分布结构的所述多个下焊盘的外部连接端子，其中所述多个再分布导电图案中的每个包括含铜的金属层、和布置在金属层的上表面上并包含铜和镍的表层。
金融界03-02 08:27
三星申请更新设备证书的方法和用于驱动该方法的设备专利，能有效验证设备是否已经被修改
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年3月2日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“更新设备证书的方法和用于驱动该方法的设备“，公开号CN117640096A，申请日期为2023年8月。专利摘要显示，一种设备可以包括：处理电路，被配置为生成与设备相关联的设备标识符，以及生成与设备标识符相关联的唯一背书标识(ID)；第一层子电路，被配置为接收设备标识符，以及基于设备标识符和唯一背书ID来生成第一证书和第二证书，第一证书和第二证书包括用于认证设备的信息，并且处理电路还被配置为接收第一证书和第二证书，以及基于第一证书和第二证书来验证设备是否已经被修改，其中，响应于第一层子电路被修改，第一层子电路还被配置为基于新的唯一背书ID生成背书密钥并且基于背书密钥生成针对新的唯一背书ID的证书签名请求。
金融界03-02 08:27
三星申请半导体存储器装置专利，提高存储器的结构效率
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年3月2日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体存储器装置“，公开号CN117641903A，申请日期为2023年8月。专利摘要显示，一种半导体存储器装置包括：基板；多条导线，其在基板上在第一水平方向上延伸并且在垂直于第一水平方向的第二水平方向上彼此间隔开；第一单元堆叠件，其在多条导线中的每一条上并且包括多个第一竖直晶体管结构和多个第一连接接触件；第二单元堆叠件，其在第一单元堆叠件上并且包括多个第二竖直晶体管结构和多个第二连接接触件；以及多个电容器结构，其布置在第二单元堆叠件上并且连接到多个第一竖直晶体管结构和多个第二竖直晶体管结构。
金融界03-02 08:27
三星申请数据眼传输信号专利，提供具有扩大的数据眼的传输信号
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年3月2日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“提供具有扩大的数据眼的传输信号的发送器和发送装置“，公开号CN117639804A，申请日期为2023年8月。专利摘要显示，提供了一种提供具有扩大的数据眼的传输信号的发送器和发送装置。所述发送装置包括输出驱动器和逻辑电路，其中，所述输出驱动器包括将多个多电平信号驱动到输出节点上的多个驱动器电路，所述逻辑电路被配置为通过多个驱动器控制信号的转变来检测所述多个驱动器电路中的每一个驱动器电路的上拉操作或下拉操作的方向，并产生脉冲信号。所述多个多电平信号基于多个驱动器控制信号和脉冲信号被分别驱动，并且所述逻辑电路向所述多个驱动器电路之中的连接到不转变的驱动器控制信号的至少一个静态驱动器电路提供脉冲信号。
金融界03-02 08:27
三星申请显示器发光装置专利，专利技术能实现强度比率大于或等于0.6的蓝光发射
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年3月2日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“用于显示器的发光装置和包括其的背光单元“，公开号CN117637965A，申请日期为2023年8月。专利摘要显示，一种发光装置包括：第一光发射器，其包括发射第一蓝光的第一发光芯片以及第一荧光体和第二荧光体中的至少一个，第一光发射器被配置为发射第二蓝光；以及第二光发射器，其包括发射第三蓝光的第二发光芯片和第三荧光体和第四荧光体中的至少一个，第二光发射器被配置为发射第四蓝光，其中，第四蓝光的峰值波长的强度与第二蓝光的峰值波长的强度的比率大于或等于0.6。
金融界03-02 08:26

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