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台积电取得光学神经网络的半导体器件及设备专利，实现光学信号与电信号之间的高速转换
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份有限公司取得一项名为“光学神经网络的半导体器件及设备“，授权公告号CN220252206U，申请日期为2023年5月。专利摘要显示，本实用新型提供一种光学神经网络的半导体器件及设备。半导体器件包括具有彼此相对的第一侧与第二侧的氧化物层。所述半导体器件包括多个第一波导，所述多个第一波导在氧化物层的第一侧上分别跨越多个第一绝缘体层设置。所述半导体器件包括多个第二波导，所述多个第二波导在氧化物层的第二侧上分别跨越多个第二绝缘体层设置。所述多个第一波导与所述多个第二波导共同形成人工神经网络的多个光子神经网络层。本实用新型可以达成光学信号与电信号之间的高速转换。
金融界2023-12-29
2023年表现最好的科技股，明年将会何去何从
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ASH）也是本月新纳入该指数的公司）、半导体制造公司 Broadcom (AVGO)和网络安全公司 Zscaler(ZS)。
金融界2023-12-29
台积电取得半导体装置专利，提升半导体晶粒的封装效率与热管理
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积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体装置“，授权公告号CN220253241U，申请日期为2023年4月。专利摘要显示，一种半导体装置，所述半导体装置包括第一半导体晶粒、第二半导体晶粒、热硅衬底以及包封体。第二半导体晶粒设置于第一半导体晶粒上且电性连接至第一半导体晶粒。热硅衬底设置于第一半导体晶粒上，其中热硅衬底与第二半导体晶粒间隔开。包封体设置于第一半导体晶粒上。包封体对第二半导体晶粒及热硅衬底进行包封。包封体包括填充材料层及绝缘体，其中填充材料层设置于第一半导体晶粒上且位于第二半导体晶粒与热硅衬底之间，且填充材料层藉由绝缘体而与第二半导体晶粒及热硅衬底间隔开。
金融界2023-12-29
超威半导体上涨1.24%，报147.88美元/股
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12月28日，超威半导体(AMD)盘中上涨1.24%，截至23:03，报147.88美元/股，成交13.75亿美元。财务数据显示，截至2023年09月30日，超威半导体收入总额165.12亿美元，同比减少8.28%；归母净利润1.87亿美元，同比减少85.6%。大事提醒： 2024年1月30日，超威半导体将披露2023财年年报。
金融界2023-12-28
韩国11月工业产出环比增长0.5% 芯片产出增长12.8%
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，韩国11月份工业产出小幅上升，得益于半导体行业的产量稳步增长。数据显示，韩国11月工业产出环比增长0.5%，而前一个月下降了1.8%。与去年同期相比，上个月的工业产出增长了2.5%。 11月半导体产出环比增长12.8%，较前月的下降12.6%显著反弹。由于半导体行业的生产活跃，上个月制造业的总产出增加了3.3%。韩国统计厅相关人士表示：“随着人工智能芯片需求的增加，存储芯片的出口也在增加。” 但数据显示，韩国11月服务业产出环比下降了0.1%。
金融界2023-12-28
晶合集成取得半导体结构专利，提升非易失性存储器的数据保存能力
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集成电路股份有限公司取得一项名为“一种半导体结构及其制造方法“，授权公告号CN116936476B，申请日期为2023年9月。专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构至少包括：半导体衬底，半导体衬底中设置有浅槽隔离结构和阱区；隧道氧化层，设置在半导体衬底上，隧道氧化层覆盖在部分阱区上和部分浅槽隔离结构上；浮栅层，设置在隧道氧化层上；多个隔离沟槽，穿过浮栅层和隧道氧化层，与阱区或浅槽隔离结构的表面接触；隔离层，设置在隔离沟槽内，隔离层连接于阱区或浅槽隔离结构，且隔离层位于相邻的浮栅层之间；隔离氧化层，设置在隔离层和浮栅层上，且所述隔离氧化层覆盖所述隔离沟槽的部分侧壁；以及控制栅层，设置在隔离氧化层上。本发明提供的半导体结构及其制造方法，能够防止存储单元之间发生漏电流，提升非易失性存储器的数据保存能力。
金融界2023-12-28
清纯半导体完成数亿元Pre-B轮融资
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清纯半导体官微宣布完成数亿元Pre-B轮融资。本轮融资由美团龙珠领投，老股东由复容投资领衔，包括蔚来资本、鸿富资产和泽森资本等持续加注。
金融界2023-12-28
长光华芯：拟9016.72万元向合资公司惟清半导体转让部分半导体设备
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28日公告，公司全资子公司苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司与清纯半导体有限公司、苏州惟清企业管理合伙企业、苏州泽森德勤企业管理合伙企业合资成立的苏州惟清半导体有限公司于2023年9月28日注册成立，目前处于开业筹备阶段。为尽快形成产能，公司拟向惟清半导体转让部分半导体设备以用于双方共同开展碳化硅项目的建设。本次交易金额为9016.72万元。预计本次交易增加公司税前利润427万元，不会对公司财务状况和经营成果造成显著影响，不会对公司的财务状况和经营业绩产生显著影响。
金融界2023-12-28
晶丰明源取得控制器、开关变换器及用于开关变换器的控制方法专利，提升开关变换器的瞬态跳变特性
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息，据国家知识产权局公告，上海晶丰明源半导体股份有限公司取得一项名为“控制器、开关变换器及用于开关变换器的控制方法“，授权公告号CN114301285B，申请日期为2021年12月。专利摘要显示，本发明涉及一种用于开关变换器的控制器及控制方法。本发明提供的控制器用于控制开关变换器中的功率开关器件，将一直流输入电压转换为一直流输出电压，所述控制器包括采样反馈单元及斜坡补偿单元，用于获得反映所述储能元件的能量变化的第一斜坡信号，并基于所述第一斜坡信号生成第二斜坡信号，使得所述第二斜坡信号与所述第一斜坡信号的差值小于一预设值。如此可以在保留传统斜坡补偿COT控制方式优点的基础上，改进补偿电压的生成方式，自适应地减小负载切换时传统斜坡补偿方式造成的输出电压波动，提升开关变换器的瞬态跳变特性，使得较小ESR的输出电容得以在开关变换器中适用。
金融界2023-12-28
京东方A：第6代新型半导体显示器件生产线项目兼容LTPO LCD技术和LTPS LCD技术
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在互动平台表示，公司投资建设第6代新型半导体显示器件生产线项目兼容LTPO LCD技术和LTPS LCD技术，目前没有增加OLED产能的规划。近期公司已公告拟投建第8.6代AMOLED生产线项目，该生产线在现有的第6代AMOLED产线工艺技术基础上进一步提升背板与OLED发光器件制备工艺，使用该技术的产品较上一代产品具有更低功耗和更长的寿命。
金融界2023-12-28

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