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信维通信：截至2023年4月28日，公司股东总数为102,892
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标均处于领先水平。公司与NXP（恩智浦半导体公司）达成战略合作，优势互补，共同推进UWB在物联网、车联网领域的应用。公司将持续密切跟踪和把握行业动向，推动公司无线连接技术在各个领域更多的应用。谢谢！投资者：请问贵公司的天线可以应用于星闪技术吗？信维通信董秘：您好，公司的产品可满足星闪近距无线通信需求。谢谢! 投资者：公司2022年第三季与第四季度的扣非净利润差异较大，是什么原因信维通信董秘：您好，四季度受到资产减值、费用计提等因素的影响。谢谢。以上内容由证券之星根据公开信息整理，由算法生成，与本站立场无关。证券之星力求但不保证该信息（包括但不限于文字、视频、音频、数据及图表）全部或者部分内容的的准确性、完整性、有效性、及时性等，如存在问题请联系我们。本文为数据整理，不对您构成任何投资建议，投资有风险，请谨慎决策。
证券之星2023-12-31
光大证券：A股市场或将峰回路转关注顺周期和成长风格主线
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、纺织制造、白羽肉鸡等；成长主线，关注半导体、华为产业链、船舶、运营商等。
金融界2023-12-31
扬杰科技申请隔离栅碳化硅晶体管及其制备方法专利，可提高器件的开关性能，降低开关损耗
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隔离栅的碳化硅晶体管及其制备方法。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次连接的碳化硅衬底，碳化硅漂移层和正面金属层；所述碳化硅漂移层的顶面设有向下延伸的PW区；所述PW区的顶面设有向下延伸的NP区；所述NP区内设有向下延伸的PP区；所述碳化硅漂移层的顶面依次设有向上伸入正面金属层内的栅氧层和Poly层；所述碳化硅漂移层的顶面设有包裹所述栅氧层和Poly层的氧化物隔离层，所述氧化物隔离层底端分别与碳化硅漂移层和NP区连接；所述氧化物隔离层的侧部设有与PP区连接的欧姆接触金属层。本发明一定程度上可提高器件的开关性能，降低开关损耗。
金融界2023-12-30
扬杰科技申请新型源区沟槽碳化硅二极管器件及其制备方法专利，进一步降低了器件的正向导通压降
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沟槽碳化硅二极管器件及其制备方法。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的背面加厚金属、背面欧姆接触金属、碳化硅衬底、碳化硅外延层和N型注入区；所述N型注入区的顶面设有伸入碳化硅外延层的终端沟槽和若干间隔设置的源区沟槽；所述源区沟槽的槽底设有向下延伸的P型注入区；所述终端沟槽的顶面设有伸入碳化硅外延层的P型主结和若干间隔设置的P型分压环；所述碳化硅外延层上设有覆盖P型主和若干P型分压环的场氧层；本发明在不增加单颗芯片面积和工艺复杂程度的基础上，进一步降低了器件的正向导通压降。
金融界2023-12-30
扬杰科技申请碳化硅二极管器件及其制备方法专利，降低器件外延层的导通电阻，进一步提高器件通流能力
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一种碳化硅二极管器件及其制备方法。涉及半导体器件。包括从下而上依次设置的碳化硅衬底、碳化硅外延层、正面电极金属；所述碳化硅外延层的顶面设有若干向下延伸的P区沟槽，所述P区沟槽内设有P型区；若干所述P型区之间设有N区沟槽；所述P型区内部设有欧姆接触金属；所述欧姆接触金属和碳化硅外延层上设有肖特基结接触金属；所述肖特基结接触金属的上方设有正面电极金属；所述碳化硅衬底和碳化硅外延层的导电类型均为N型。本发明可以通过形成两层不同掺杂浓度的外延层，来降低器件外延层的导通电阻，进一步提高器件通流能力。
金融界2023-12-30
扬杰科技申请一种提升SIC功率器件短路鲁棒性的结构及制造方法专利，提升SIC功率器件的短路鲁棒性
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件短路鲁棒性的结构及制造方法。涉及功率半导体技术领域。包括以下步骤：步骤001，提供一种N型重掺杂类型的衬底，即为N+型SiC半导体衬底，掺杂浓度为360~400um，掺杂浓度为1e19 cm。
金融界2023-12-30
扬杰科技申请碳化硅半导体器件专利，减少续流过程中产生的损耗
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技股份有限公司申请一项名为“一种碳化硅半导体器件及其制备方法“，公开号CN117316985A，申请日期为2023年10月。专利摘要显示，一种碳化硅半导体器件及其制备方法。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的碳化硅衬底和碳化硅漂移层，所述碳化硅漂移层的顶面设有若干间隔向下延伸的沟槽；还包括：PW区，位于所述沟槽处；NP区，从所述沟槽的顶部向下延伸，包裹于所述PW区内；PP区，设置在所述沟槽处，位于所述NP区的下方；栅氧层，设置在相邻沟槽之间，位于所述碳化硅漂移层的顶面；Poly层，设置在所述栅氧层的顶面；隔离层，设置在所述Poly层上，并从侧部向下延伸至NP区；本发明一定程度上减小了N‑漂移层所带来的电阻，从而可降低体二极管的导通电阻，减少其在续流过程中产生的损耗。
金融界2023-12-30
扬杰科技申请碳化硅MOSFET专利，提高了体二极管的导通能力
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化硅MOSFET器件及其制备方法。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的碳化硅衬底和碳化硅漂移层；所述碳化硅漂移层的顶面设有若干间隔向下延伸的PW区；所述PW区的顶面设有向下延伸的NP区和PP区一；相邻所述PW区之间设有源级处沟槽，所述源级处沟槽的槽底设有向下延伸的PP区二；所述碳化硅漂移层顶面的端部和中部分别设有从下而上依次设置的栅氧层、Poly层和隔离层；所述隔离层从侧部向下延伸与NP区连接；本发明通过在碳化硅MOSFET中形成沟槽体二极管，使得体二极管导通从N型漂移层开始，提高了体二极管的导通能力，并且有效避免了由于电子和空穴的复合现象而导致的晶格缺陷蔓延，从而减小双极退化现象引起的器件性能退化。
金融界2023-12-30
新洁能申请超结功率半导体专利，能够明显缩小元胞尺寸，降低导通电阻
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股份有限公司申请一项名为“一种超结功率半导体器件及其制造方法“，公开号CN117317014A，申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本发明涉及一种超结功率半导体器件及其制造方法。包括自下而上依次设置第一导电类型衬底、外延层、绝缘介质层和源极金属，在所述外延层靠近绝缘介质层的一侧设有多条第二导电类型柱，每一条所述第二导电类型柱由n段第二导电类型短柱组成，其中，n为大于或等于2的整数；将所述外延层与所述绝缘介质层的交界面设为水平面，所述第二导电类型短柱偏转于所述水平面的铅锤线；同一条第二导电类型柱内，各所述第二导电类型短柱的偏转方向一致，相邻的所述第二导电类型柱内，所述第二导电类型短柱的偏转方向相反。本发明提供一种超结功率半导体器件及其制造方法，能够明显缩小元胞尺寸，降低导通电阻，其制造方法与现有工艺兼容且制造方法简单。
金融界2023-12-30
成都蕊源半导体科技股份有限公司创业板IPO申请获得上市委会议通过
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交所12月30日更新信息显示，成都蕊源半导体科技股份有限公司创业板IPO申请获得上市委会议通过。
金融界2023-12-30

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