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三星在美国新设实验室,开发新一代3D DRAM
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据业内人士称,全球最大存储芯片制造商
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公司在美国新设了一个研究实验室,以开发新一代3D DRAM。该实验室隶属于总部位于美国硅谷、负责三星在美国半导体生产的Device Solutions America ,将致力于开发升级的DRAM模型,使三星能够引领全球3D存储芯片市场。去年10月,三星透露正在为10纳米以下的DRAM准备新的3D结构,允许更大的单芯片容量,可以超过100千兆位。
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金融界
01-28 14:27
三星取得OLED显示面板专利,实现基于光反射的生物特征识别
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1月27日消息,据国家知识产权局公告,
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株式会社取得一项名为“OLED显示面板、显示设备和执行生物特征识别的方法“,授权公告号CN111009556B,申请日期为2019年9月。 专利摘要显示,提供了OLED显示面板、包括其的显示设备和执行生物特征识别的方法。该OLED显示面板可以包括:基板;OLED光发射器,在基板上并且被配置为发射光;以及可见光传感器,在基板上并且被配置为基于所发射的光的至少一部分的自识别目标的反射而检测所发射的光的所述部分。可见光传感器在与OLED光发射器相邻的非发光区域中从而在平行于基板的上表面延伸的水平方向上与OLED光发射器水平对准,或者在基板和与OLED光发射器相邻的非发光区域之间使得可见光传感器在垂直于基板的上表面延伸的垂直方向上与非发光区域垂直对准。
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金融界
01-27 14:51
三星取得半导体器件专利,半导体器件包括第一基板结构和第二基板结构
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1月27日消息,据国家知识产权局公告,
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株式会社取得一项名为“半导体器件“,授权公告号CN111146202B,申请日期为2019年11月。 专利摘要显示,一种半导体器件包括第一基板结构,其具有第一基板、设置在第一基板上的电路元件和设置在电路元件上的第一接合焊盘。第二基板结构连接到第一基板结构。第二基板结构包括:第二基板,具有第一表面和第二表面;彼此间隔开的第一导电层和第二导电层;焊盘绝缘层,具有暴露第二导电层的一部分的开口;以及栅电极,在第一方向上堆叠为彼此间隔开并且电连接到电路元件。第一接触插塞在第二表面上沿第一方向延伸并且连接到栅电极。第二接触插塞在第二表面上沿第一方向延伸并且电连接到第二导电层。第二接合焊盘电连接到第一接触插塞和第二接触插塞。
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金融界
01-27 14:51
传OpenAI首席执行官将参观三星(SSNLF.US)、SK海力士 探讨芯片合作
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奥特曼周五将访问韩国半导体行业的领军者
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(SSNLF.US)和SK海力士,讨论在芯片制造方面的潜在合作。
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金融界
01-26 16:13
三星申请半导体封装件专利,实现多个半导体芯片的堆叠
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1月26日消息,据国家知识产权局公告,
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株式会社申请一项名为“半导体封装件“,公开号CN117457617A,申请日期为2023年7月。 专利摘要显示,一种半导体封装件包括:第一半导体芯片;多个第二半导体芯片,其堆叠在所述第一半导体芯片上并且具有比所述第一半导体芯片的宽度窄的宽度;以及模制层,其在第一半导体芯片的上表面上。所述第一半导体芯片包括:第一前表面焊盘、被划分为第一区域和第二区域的第一后表面绝缘层、在所述第一区域中的第一后表面焊盘、在所述第二区域中的虚设焊盘、以及将所述第一前表面焊盘和所述第一后表面焊盘彼此电连接的第一贯穿电极,其中,每个所述虚设焊盘的上表面上设置有金属氧化物膜。所述多个第二半导体芯片中的每个第二半导体芯片包括第二前表面焊盘、第二后表面焊盘、以及将所述第二前表面焊盘和所述第二后表面焊盘彼此电连接的第二贯穿电极。
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金融界
01-26 15:23
三星申请用于存储设备的自适应高速缓存索引专利,实现基于数据存取模式的高效数据存储
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1月26日消息,据国家知识产权局公告,
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株式会社申请一项名为“用于存储设备的自适应高速缓存索引“,公开号CN117453584A,申请日期为2023年7月。 专利摘要显示,本公开提供了一种数据存储的方法,所述方法包括:从应用接收对存储在存储设备上的数据进行存取的请求;识别应用的数据存取模式;以及基于数据存取模式来将数据存储在存储设备的高速缓存中。
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金融界
01-26 15:23
三星申请半导体存储器装置专利,提高存储单元行中的计数管理效率
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1月26日消息,据国家知识产权局公告,
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株式会社申请一项名为“半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统“,公开号CN117457044A,申请日期为2023年7月。 专利摘要显示,提供半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统。所述半导体存储器装置包括:存储器单元阵列,包括多个存储器单元行;行锤击管理电路;以及控制逻辑电路。行锤击管理电路基于在第一时间点施加到控制逻辑电路的激活命令将计数值作为计数数据存储在所述多个存储器单元行中的每个的计数单元中,并且响应于在第一命令被施加到控制逻辑电路之后在第二时间点施加的预充电命令来执行内部读取‑更新‑写入操作,以从多个存储器单元行之中的目标存储器单元行的计数单元读取计数数据,更新读取的计数数据以获得更新后的计数数据,并且将更新后的计数数据写入目标存储器单元行的计数单元中。
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金融界
01-26 15:22
韩国将HBM指定为国家战略技术,拟为三星、SK海力士等提供税收优惠
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HBM)技术指定为国家战略技术,并将为
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和SK海力士等HBM供应商提供税收优惠。
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金融界
01-26 08:53
三星申请时钟多路复用电路专利,实现脉冲信号的精准控制
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1月24日消息,据国家知识产权局公告,
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株式会社申请一项名为“时钟多路复用电路、脉冲发生器和存储器装置“,公开号CN117437945A,申请日期为2023年7月。 专利摘要显示,公开了一种时钟多路复用电路、脉冲发生器和存储器装置。时钟多路复用电路包括第一晶体管和第二晶体管,第一晶体管在接收第一输入时钟信号的第一输入端子和输出输出脉冲信号的输出端子之间,并且基于接收第二输入时钟信号的第二输入端子的逻辑电平而操作,第二晶体管在输出端子和第一电压节点之间,并且基于第二输入端子的逻辑电平而操作。第一输入时钟信号和第二输入时钟信号具有相同的周期和不同的相位。输出脉冲信号在第一输入时钟信号转变到第一逻辑电平时的第一时间处转变到第一逻辑电平,并且在第二输入时钟信号转变到第一逻辑电平时的第二时间处转变到第二逻辑电平。
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金融界
01-24 15:28
谷歌因垄断遭韩国罚款超2000亿韩元,上诉被驳回
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1年9月,韩国公平贸易委员会因谷歌强制
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等智能手机制造商安装其操作系统安卓而对其下达了纠正令并处以超2000亿韩元罚款。
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金融界
01-24 14:09
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