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三星取得半导体器件专利，晶体管的阈值电压可实现不同
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2月23日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件“的专利，授权公告号CN110690287B，申请日期为2019年7月。专利摘要显示，本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：基板，包括第一有源区域和第二有源区域；第一有源图案和第二有源图案，分别设置在第一有源区域和第二有源区域中；第一栅电极和第二栅电极，分别交叉第一有源图案和第二有源图案；第一栅极绝缘图案，插设在第一有源图案和第一栅电极之间；以及第二栅极绝缘图案，插设在第二有源图案和第二栅电极之间。第一栅极绝缘图案包括第一电介质图案和设置在第一电介质图案上的第一铁电图案。第二栅极绝缘图案包括第二电介质图案。第一有源区域中的晶体管的阈值电压不同于第二有源区域中的晶体管的阈值电压。
金融界02-24 06:56
三星取得半导体器件专利，提升源极/漏极区的接触效果
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2月23日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“包括鳍型场效应晶体管的半导体器件“，授权公告号CN110620110B，申请日期为2019年2月。专利摘要显示，一种包括鳍型场效应晶体管(fin‑FET)的半导体器件包括：设置在衬底上的有源鳍；在有源鳍的两侧上的隔离层；形成为与有源鳍和隔离层交叉的栅极结构；在栅极结构的侧壁上在有源鳍上的源极/漏极区；第一层间绝缘层，在隔离层上与栅极结构的侧壁的部分和源极/漏极区的表面的部分接触；蚀刻停止层，构造为重叠第一层间绝缘层、栅极结构的侧壁和源极/漏极区；以及接触插塞，形成为穿过蚀刻停止层以接触源极/漏极区。源极/漏极区具有与有源鳍的上表面接触的主生长部分。
金融界02-24 05:26
三星取得互连结构和包括该互连结构的电子器件专利，该专利技术能实现提供一种互连结构和包括该互连结构的电子器件
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2月23日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“互连结构和包括该互连结构的电子器件“，授权公告号CN110752204B，申请日期为2019年1月。专利摘要显示，提供了一种互连结构和包括该互连结构的电子器件。该互连结构包括包含至少一个沟槽的电介质层、填充所述至少一个沟槽的内部的导电布线、以及在导电布线的至少一个表面上的盖层。盖层包括纳米晶石墨烯。纳米晶石墨烯包括纳米尺寸的晶体。
金融界02-24 04:57
三星取得无线电链路故障处理专利，实现更高数据速率的5G通信系统与物联网技术相融合
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2月23日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“使用参考信号处理系统的无线电链路故障的方法和装置“，授权公告号CN111034295B，申请日期为2018年8月。专利摘要显示，提供了一种将用于支持超越第4代(4G)系统的更高数据速率的第5代(5G)通信系统与物联网(IoT)技术相融合的通信方法和系统。本公开可以被应用于基于5G通信技术和IoT相关技术的智能服务，例如智能家庭、智能建筑、智能城市、智能车辆、连接车辆、卫生保健、数字教育、智能零售业、安全保卫服务。所述方法包括：接收无线电资源控制(RRC)消息，所述RRC消息包括与用于无线电链路监控(RLM)的参考信号相关联的第一信息和与用于所述RLM的阈值相关联的第二信息；监控由所述第一信息指示的至少一个参考信号的无线电链路质量；将所述至少一个参考信号的所述无线电链路质量与所述阈值进行比较；以及基于比较结果向所述终端的更高层指示同步或不同步。
金融界02-24 04:57
三星取得半导体器件专利，实现优化半导体器件结构
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2月23日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件“的专利，授权公告号CN109860298B，申请日期为2018年11月。专利摘要显示，一种半导体器件包括：沟道图案，包括顺序地堆叠在衬底上的第一半导体图案和第二半导体图案；以及栅电极，沿第一方向延伸并交叉沟道图案。栅电极包括插置在衬底与第一半导体图案之间的第一部分、以及插置在第一半导体图案与第二半导体图案之间的第二部分。第一部分在第二方向上的最大宽度大于第二部分在第二方向上的最大宽度，第二半导体图案在第二方向上的最大长度小于第一半导体图案在第二方向上的最大长度。
金融界02-24 04:06
三星取得制造可变电阻存储器件的方法专利，能在衬底上形成磁隧道结(MTJ)结构层
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2月23日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“制造可变电阻存储器件的方法“，授权公告号CN109786547B，申请日期为2018年11月。专利摘要显示，在一种制造可变电阻存储器件的方法中，在衬底上形成磁隧道结(MTJ)结构层。在蚀刻室中蚀刻该MTJ结构层以形成MTJ结构。通过传送室将其上具有该MTJ结构的衬底传送到沉积室。在所述沉积室中形成覆盖该MTJ结构的侧壁的保护层。所述蚀刻室、传送室和沉积室保持在等于或大于约10。
金融界02-24 03:56
三星取得存储器控制器的操作方法和储存设备的操作方法专利，能有效对无效块执行操作
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2月23日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“存储器控制器的操作方法和储存设备的操作方法“，授权公告号CN109726143B，申请日期为2018年10月。专利摘要显示，一种操作存储器控制器的方法，该存储器控制器被配置为控制非易失性存储器设备，该非易失性存储器设备包括多个存储器块。该方法包括检测多个存储器块当中的无效块；基于无效块的状态确定无效模式；并且对无效块执行操作，使得无效块具有无效模式。
金融界02-24 03:37
三星取得刺激设备和方法专利，提供一种神经模仿刺激设备和方法
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2月23日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“刺激设备和方法“的专利，授权公告号CN109550145B，申请日期为2018年9月。专利摘要显示，提供一种刺激设备和方法。一种神经模仿刺激设备包括：反馈检测器，被配置为从将被刺激的目标检测反馈信号；控制器，被配置为：分析检测到的反馈信号的波形，并基于分析的检测到的反馈信号的波形来确定参数；信号产生器，被配置为基于确定的参数产生与检测到的反馈信号对应的刺激信号。
金融界02-24 02:57
三星取得制造集成电路器件的方法专利，提供了一种制造集成电路器件的方法
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2月23日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“制造集成电路器件的方法“，授权公告号CN109559980B，申请日期为2018年9月。专利摘要显示，提供了一种制造集成电路器件的方法，所述方法包括：在基板上形成包括化学增强聚合物的可显影底部抗反射涂覆层；在所述可显影底部抗反射涂覆层上形成包括非化学增强树脂和光酸产生剂的光致抗蚀剂层；通过曝光所述第一区域，在选自所述光致抗蚀剂层的第一区域中从所述光酸产生剂产生酸；将所述曝光的第一区域中的酸扩散到所述可显影底部抗反射涂覆层的第一可显影底部抗反射涂覆区域中，所述第一可显影底部抗反射涂覆区域面向所述第一区域；以及通过将所述光致抗蚀剂层和所述可显影底部抗反射涂覆层显影来去除所述第一区域和所述第一可显影底部抗反射涂覆区域。
金融界02-24 02:57
NVDA赚得盆满钵满 6大供应商或迎来上涨行情
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这些公司包括台积电TSMC（TSM）和三星电子Samsung Electronics等半导体制造商、存储器生产商Micron Technology（MU）和半导体设备公司BESI。台积电是全球最大的半导体代工厂，为英伟达生产高科技芯片，用于数据中心运行复杂的人工智能计算。然而，虽然台积电是英伟达的唯一供应商，但该公司的收入来源却是多元的，根据FactSet数据显示，台积电只有10%的收入来自制造人工智能芯片。台积电还为苹果和AMD等公司生产芯片。三星电子和SK Hynix制造了用于最新人工智能芯片的“高带宽存储器”。SK Hynix是摩根士丹利的“首选股”。摩根士丹利的分析师在2月18日给客户的一份报告中表示:“展望未来3-4年，Hynix对NVDA的敞口将大幅增加，而高带宽存储器对GPU生产商来说正变得越来越具有战略意义，非常适合寻找NVDA以外的公司。” 日本公司Advantest生产用于在制造过程中测试人工智能芯片的设备和材料。该股也是摩根士丹利看好的与英伟达相关的股票之一。周四，荷兰芯片制造零部件供应商BESI(BE Semiconductor Industries)表示，芯片制造商扩大产能，对其“混合键合”技术和人工智能计算应用的需求不断增长。 BESI的技术有助于有效地连接芯片的各个部件。该公司表示，包括台积电、英特尔和三星在内的客户都在采用其先进产品。
金融界02-24 01:07

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