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三星申请半导体装置专利,该专利技术能优化半导体装置的结构

2024-04-26 08:29:31
金融界
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摘要:金融界2024年4月26日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置“,公开号CN117936504A,申请日期为2023年7月。专利摘要显示,公开了一种半导体装置。该半导体装置包括:有源图案,在基底上;源极/漏极图案;第一分离结构和第二分离结构,其中,相邻的源极/漏极图案置于第一分离结构与第二分离结构之间;层间绝缘层,在源极/漏极图案以及第一分离结构和第二分离结构上;贯穿过孔,在相邻的源极/漏极图案之间,穿透层间绝缘层并且朝向基底延伸,其中,贯穿过孔的顶部与层间绝缘层的顶部共面;介电层,选择性地在层间绝缘层的顶部并且打开贯穿过孔的顶部;电源过孔,通过介电层引导以连接到贯穿过孔的顶部;电源线,在电源过孔上并且通过电源过孔电连接到贯穿过孔;电源输送网络层,在基底的底部上;以及下导体,在贯穿过孔下方。

金融界2024年4月26日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置“,公开号CN117936504A,申请日期为2023年7月。

专利摘要显示,公开了一种半导体装置。该半导体装置包括:有源图案,在基底上;源极/漏极图案;第一分离结构和第二分离结构,其中,相邻的源极/漏极图案置于第一分离结构与第二分离结构之间;层间绝缘层,在源极/漏极图案以及第一分离结构和第二分离结构上;贯穿过孔,在相邻的源极/漏极图案之间,穿透层间绝缘层并且朝向基底延伸,其中,贯穿过孔的顶部与层间绝缘层的顶部共面;介电层,选择性地在层间绝缘层的顶部并且打开贯穿过孔的顶部;电源过孔,通过介电层引导以连接到贯穿过孔的顶部;电源线,在电源过孔上并且通过电源过孔电连接到贯穿过孔;电源输送网络层,在基底的底部上;以及下导体,在贯穿过孔下方。

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