台积电申请用于形成半导体装置的方法专利，该方法能在基板上形成涂覆层lg...

摘要：金融界2024年4月5日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“用于形成半导体装置的方法“，公开号CN117826534A，申请日期为2023年5月。专利摘要显示，提供了用于形成半导体装置的方法。该方法包括在基板上形成涂覆层的步骤，该涂覆层包含可切换聚合物及酸产生剂，该可切换聚合物包含聚合物主链及连接至该聚合物主链的侧基。所述侧基包括酸不稳定基团及交联基团。随后进行烘烤工艺以引起所述交联基团的交联以形成交联涂覆层。接着，将光阻剂层沉积至该交联涂覆层上。在将该光阻剂层及该交联涂覆层选择性地曝光于图案化辐射之后，显影该选择性曝光的光阻剂层及该交联涂覆层以在该光阻剂层及该交联涂覆层上形成开口的图案。