长鑫存储取得存储装置的读写方法及存储装置专利，能够根据存储芯片的温度调节写恢复时间lg...

摘要：金融界2024年3月28日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“存储装置的读写方法及存储装置“，授权公告号CN114141287B，申请日期为2020年9月。专利摘要显示，本发明提供一种存储装置的读写方法及存储装置，所述存储装置包括存储芯片，所述存储装置读写方法是，在存储芯片运行期间，测量所述存储芯片的温度，并根据所述温度调节存储芯片的写恢复时间。本发明的优点在于，能够根据所述存储芯片的温度调节所述存储芯片的写恢复时间，从而使得存储芯片执行的写恢复时间与存储芯片在进行读写操作时的实际发生的写恢复时间基本一致，避免出现数据丢失或者运行速度降低的情况。