长鑫存储申请半导体结构及其形成方法专利，提高产品良率lg...

摘要：金融界2024年3月29日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法“，公开号CN117790299A，申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开涉及半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法，本公开形成方法包括提供基底；在基底的一侧形成堆叠分布的第一膜层和第二膜层，第一膜层位于第二膜层远离基底的一侧；在第一膜层内形成多个呈阵列分布的第一通孔，第一通孔露出第二膜层；在第一通孔内形成催化层；去除剩余的第一膜层，以露出各催化层之间的间隙；以催化层为催化剂对位于催化层正下方的第二膜层进行蚀刻，以在第二膜层中形成多个呈阵列分布的第二通孔。本公开的形成方法可提高蚀刻孔洞的均匀性，进而提高产品良率。