三星取得半导体器件专利，半导体器件具有在多个第一半导体图案中的相邻的第一半导体图案之间以及在多个第一半导体图案中的最下面的第一半导体图案与衬底之间的第一部分lg...

摘要：金融界2024年3月12日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件“，授权公告号CN109473473B，申请日期为2018年9月。专利摘要显示，本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：多个第一半导体图案，垂直堆叠在衬底上并彼此垂直间隔开；以及第一栅电极，围绕所述多个第一半导体图案。第一栅电极包括：第一功函数金属图案，在所述多个第一半导体图案中的各个第一半导体图案的顶表面、底表面和侧壁上；阻挡图案，在第一功函数金属图案上；以及第一电极图案，在阻挡图案上。第一栅电极具有在所述多个第一半导体图案中的相邻的第一半导体图案之间以及在所述多个第一半导体图案中的最下面的第一半导体图案与所述衬底之间的第一部分。阻挡图案包括包含硅的金属氮化物层。阻挡图案和第一电极图案与第一部分间隔开。