三星取得半导体器件专利，提供接触区域以电连接到单元接触插塞lg...

摘要：金融界2024年2月23日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件“，授权公告号CN110970443B，申请日期为2019年9月。专利摘要显示，一种半导体器件包括：第一衬底结构，包括第一衬底、栅电极、单元接触插塞和第一接合垫，栅电极堆叠在第一衬底上，并且延伸不同的长度以提供接触区域，单元接触插塞在接触区域中连接到栅电极，第一接合垫分别设置在单元接触插塞上以电连接到单元接触插塞；以及第二衬底结构，在第一衬底结构上连接到第一衬底结构，并且包括第二衬底、设置在第二衬底上的电路元件和接合到第一接合垫的第二接合垫，其中，接触区域包括第一区域和第二区域，第一区域具有第一宽度，第二区域的至少一部分重叠第一接合垫，并且具有大于第一宽度的第二宽度，第二宽度大于第一接合垫的宽度。