北京大学申请半导体制备方法、半导体结构和芯片专利，同时提供BDI层以及ESD保护lg...

摘要：金融界2024年1月30日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“半导体制备方法、半导体结构和芯片“，公开号CN117476640A，申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本申请提供一种半导体制备方法、半导体结构和芯片。该方法包括：在衬底上形成第一层叠结构和第二层叠结构，其中，第一层叠结构用于形成第一晶体管，第二层叠结构用于形成第二晶体管，第一层叠结构和第二层叠结构与衬底之间均形成有第一牺牲层；去除第一牺牲层位于第二层叠结构和衬底之间的部分，以在第二层叠结构和衬底之间形成间隙；在间隙内形成BDI层；形成第一晶体管的第一外延结构和第二外延结构、以及第二晶体管的第三外延结构，其中，第一外延结构和第二外延结构构成第一晶体管的源极和/或漏极，第三外延结构构成第二晶体管的源极和/或漏极，BDI层介于第三外延结构和衬底之间。通过本申请，同时了提供BDI层以及ESD保护。