三星申请半导体存储器件和制造其的方法专利，提高半导体存储器件的性能lg...

金融界2024年1月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体存储器件和制造其的方法“，公开号CN117479532A，申请日期为2023年7月。

专利摘要显示，公开了半导体存储器件和制造方法。例如，一种半导体存储器件可以包括具有彼此相邻的第一有源图案和第二有源图案的衬底，沟槽将第一有源图案和第二有源图案分开。第一有源图案包括第一源极/漏极区，第二有源图案包括第二源极/漏极区。第二源极/漏极区包括与第一源极/漏极区相邻的第一侧壁表面和第二侧壁表面以及连接第一侧壁表面和第二侧壁表面的连接表面。第二侧壁表面从第一侧壁表面相对于第一源极/漏极区向后缩进。半导体存储器件还包括在第一有源图案和第二有源图案之间的沟槽中的器件隔离层，其中器件隔离层在第二源极/漏极区的第一侧壁表面上。位线在衬底上沿第一方向延伸，位线包括电连接到第一源极/漏极区的接触部分。半导体存储器件还包括在器件隔离层上、在位线的接触部分的侧壁上以及在第二源极/漏极区的第二侧壁表面上的下间隔物。此外，半导体存储器件包括：联接到第二源极/漏极区的接触，下间隔物的一部分在接触和位线的接触部分之间；在接触上的着落垫；以及在着落垫上的数据存储元件。