三星申请半导体装置专利，实现更优化的数据存储系统lg...

摘要：金融界2024年1月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统“，公开号CN117479541A，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，公开了半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统。该半导体装置包括：基底；导电层；以及连接到导电层的接触插塞。接触插塞包括第一部分；以及顺序堆叠的第二部分，其中，第一部分的上表面的宽度比第二部分的下表面的宽度宽。接触插塞包括阻挡层；阻挡层上的第一导电层；以及第一导电层上的第二导电层。第二导电层包括孔隙。阻挡层、第一导电层和第二导电层在第一部分和第二部分中连续延伸。阻挡层具有第一厚度，第二导电层具有等于或大于第一厚度的第二厚度， 并且第一导电层具有等于或大于第二厚度的第三厚度。