三星申请半导体器件专利，半导体器件可以包括在衬底上的位线结构、第一间隔物和第二间隔物lg...

摘要：金融界2024年1月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“，公开号CN117479531A，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，半导体器件可以包括在衬底上的位线结构、第一间隔物和第二间隔物。位线结构可以包括在基本上垂直于衬底的上表面的竖直方向上堆叠的导电结构和绝缘结构。第一间隔物和第二间隔物可以在位线结构的侧壁上沿水平方向堆叠。水平方向可以基本上平行于衬底的上表面。导电结构可以在其横向部分包括含氮导电部分。第一间隔物可以接触含氮导电部分。