三星取得半导体器件专利，半导体器件包括第一基板结构和第二基板结构lg...

摘要：金融界2024年1月27日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件“，授权公告号CN111146202B，申请日期为2019年11月。专利摘要显示，一种半导体器件包括第一基板结构，其具有第一基板、设置在第一基板上的电路元件和设置在电路元件上的第一接合焊盘。第二基板结构连接到第一基板结构。第二基板结构包括：第二基板，具有第一表面和第二表面；彼此间隔开的第一导电层和第二导电层；焊盘绝缘层，具有暴露第二导电层的一部分的开口；以及栅电极，在第一方向上堆叠为彼此间隔开并且电连接到电路元件。第一接触插塞在第二表面上沿第一方向延伸并且连接到栅电极。第二接触插塞在第二表面上沿第一方向延伸并且电连接到第二导电层。第二接合焊盘电连接到第一接触插塞和第二接触插塞。