三星申请半导体器件及其制造方法专利，实现金属结构与半导体组件电绝缘lg...

摘要：金融界2024年1月12日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件及其制造方法“，公开号CN117393542A，申请日期为2023年4月。专利摘要显示，一种半导体器件，包括：半导体衬底，包括器件区和边缘区；半导体组件，在器件区上；金属结构，在边缘区上；绝缘层，围绕半导体组件和金属结构；以及在半导体组件上的焊盘，其中，金属结构被绝缘层围绕，且不暴露于绝缘层的侧表面，并且其中，金属结构与半导体组件电绝缘。