三星申请半导体器件专利，提高器件性能lg...

摘要：金融界2024年1月5日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“，公开号CN117355131A，申请日期为2023年5月。专利摘要显示，一种半导体器件包括：衬底；与所述衬底垂直地间隔开的第一支撑体图案和第二支撑体图案，所述第二支撑体图案与所述第一支撑体图案垂直地间隔开；下电极孔，在所述衬底上垂直地延伸；下电极，位于所述下电极孔内部，接触所述第一支撑体图案和所述第二支撑体图案的侧壁，所述下电极包括第一层、第二层和第三层，所述第一层沿着所述下电极孔的侧壁的一部分和底表面设置，所述第二层位于所述第一层之间，所述第三层位于所述第一层的上表面和所述第二层的上表面上，所述第一层和所述第三层包括与所述第二层不同的材料，并且所述第三层的至少一部分的侧壁朝向所述第三层凹入，在所述垂直方向上与所述第二层交叠，并且在所述垂直方向上与所述第二层间隔开。