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天合光能申请异质结电池专利,大幅降低制造加工成本

2023-12-30 14:14:37
金融界
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摘要:金融界2023年12月30日消息,据国家知识产权局公告,天合光能股份有限公司申请一项名为“异质结电池及其制备方法“,公开号CN117317068A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示,本发明公开了一种异质结电池及其制备方法,制备方法包括如下步骤:在N型硅基底的正面与背面分别制备本征非晶硅层;在正面的本征非晶硅层上制备N型掺杂层;在背面的本征非晶硅层上制备P型掺杂层;在P型掺杂层、N型掺杂层上分别依次制备金属铝薄膜种子层、无铟透明导电薄膜层、金属铝薄膜中间层;在各个金属铝薄膜中间层上分别制备铟基透明导电氧化物薄膜层或者无铟透明导电氧化物薄膜层;在铟基透明导电氧化物薄膜层上分别制备金属电极;或者在无铟透明导电氧化物薄膜层上分别制备保护层,在保护层上制备金属电极;金属电极延伸至相应的金属铝薄膜中间层。本发明大幅降低制造加工成本,满足可靠性要求。

金融界2023年12月30日消息,据国家知识产权局公告,天合光能股份有限公司申请一项名为“异质结电池及其制备方法“,公开号CN117317068A,申请日期为2023年10月。

专利摘要显示,本发明公开了一种异质结电池及其制备方法,制备方法包括如下步骤:在N型硅基底的正面与背面分别制备本征非晶硅层;在正面的本征非晶硅层上制备N型掺杂层;在背面的本征非晶硅层上制备P型掺杂层;在P型掺杂层、N型掺杂层上分别依次制备金属铝薄膜种子层、无铟透明导电薄膜层、金属铝薄膜中间层;在各个金属铝薄膜中间层上分别制备铟基透明导电氧化物薄膜层或者无铟透明导电氧化物薄膜层;在铟基透明导电氧化物薄膜层上分别制备金属电极;或者在无铟透明导电氧化物薄膜层上分别制备保护层,在保护层上制备金属电极;金属电极延伸至相应的金属铝薄膜中间层。本发明大幅降低制造加工成本,满足可靠性要求。

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