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长川科技申请校准参数读取、校准参数写入方法及装置专利,有助于确保校准参数的有效性,并提高非易失性存储器的使用寿命

2023-12-30 12:14:43
金融界
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摘要:金融界2023年12月30日消息,据国家知识产权局公告,杭州长川科技股份有限公司申请一项名为“校准参数读取、校准参数写入方法及装置“,公开号CN117312043A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示,本申请公开了一种校准参数读取方法、校准参数写入方法、校准参数读取装置、校准参数写入装置及电子设备,属于校准参数读写技术领域,其中,校准参数读取方法应用于上位机,以读取非易失性存储器中校准参数,非易失性存储器包括主存储区和备存储区,读取方法包括:分别读取主存储区和备存储区的头信息;根据主存储区的头信息和备存储区的头信息分别与预设条件的比较结果,确定校准参数存储区和校准参数的存储地址;根据存储地址访问校准参数,并基于校准参数存储区的头信息读出校准参数。该方法通过将非易失性存储器分为主存储区和备存储区,并基于头信息选择校准参数的读取地址,有助于确保校准参数的有效性,并提高非易失性存储器的使用寿命,避免校准参数误差导致电路异常。

金融界2023年12月30日消息,据国家知识产权局公告,杭州长川科技股份有限公司申请一项名为“校准参数读取、校准参数写入方法及装置“,公开号CN117312043A,申请日期为2023年9月。

专利摘要显示,本申请公开了一种校准参数读取方法、校准参数写入方法、校准参数读取装置、校准参数写入装置及电子设备,属于校准参数读写技术领域,其中,校准参数读取方法应用于上位机,以读取非易失性存储器中校准参数,非易失性存储器包括主存储区和备存储区,读取方法包括:分别读取主存储区和备存储区的头信息;根据主存储区的头信息和备存储区的头信息分别与预设条件的比较结果,确定校准参数存储区和校准参数的存储地址;根据存储地址访问校准参数,并基于校准参数存储区的头信息读出校准参数。该方法通过将非易失性存储器分为主存储区和备存储区,并基于头信息选择校准参数的读取地址,有助于确保校准参数的有效性,并提高非易失性存储器的使用寿命,避免校准参数误差导致电路异常。

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