台积电取得半导体泄漏分析专利，可识别单元邻接情况lg...

摘要：金融界2023年12月25日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“用于半导体器件的泄漏分析的方法和系统”的专利，授权公告号CN111444669B，申请日期为2020年1月。专利摘要显示，该方法用于计算半导体器件中的边界泄漏。检测第一单元和第二单元之间的边界，该第一单元和第二单元在该边界周围彼此邻接。识别与第一单元和第二单元的单元边缘相关联的属性。基于与第一单元和第二单元的单元边缘相关联的属性来识别单元邻接情况。基于与单元邻接情况相关联的泄漏电流值和与单元邻接情况相关联的泄漏概率来计算第一单元和第二单元之间的预期边界泄漏。本发明的实施例还涉及用于半导体器件的泄漏分析的方法和系统。