台积电申请半导体结构及其形成方法专利，半导体结构包括光学中介层和导电连接件lg...

摘要：金融界2023年12月22日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法“，公开号CN117270117A，申请日期为2023年8月。专利摘要显示，半导体结构包括：光学中介层，具有位于第一介电层中的至少一个第一光子器件和位于第二介电层中的至少一个第二光子器件，其中，第二介电层设置在第一介电层之上。半导体结构还包括：第一管芯，设置在光学中介层上并且电连接至光学中介层；第一衬底，位于光学中介层下面；以及导电连接件，位于第一衬底下面。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。