台积电申请半导体结构和制造半导体器件的方法专利，实现半导体结构的优化lg...

摘要：金融界2023年12月22日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体结构和制造半导体器件的方法“，公开号CN117276269A，申请日期为2023年8月。专利摘要显示，根据一些实施例，本发明的实施例提供了半导体结构。半导体结构包括具有第一电路区域和第二电路区域的半导体衬底、包括设置在第一电路区域中的第一栅极堆叠件的第一晶体管、包括设置在第二电路区域中的第二栅极堆叠件的第二晶体管、以及设置在第一电路区域和第二电路区域之间的保护环结构。第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件具有不同的材料组成。保护环结构完全围绕第二电路区域。本发明的实施例还提供了制造半导体器件的方法。