三星申请半导体器件专利，具有改进的性能和可靠性lg...

摘要：金融界2023年12月22日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“，公开号CN117276322A，申请日期为2023年6月。专利摘要显示，一种具有改进的性能和可靠性的半导体器件。半导体器件可以包括在第一方向上延伸的下部图案以及在垂直于第一方向的第二方向上与下部图案间隔开的多个片状图案。多个栅极结构可以在下部图案上并且在第一方向上间隔开，源极/漏极图案可以包括半导体衬垫膜和在半导体衬垫膜上的半导体填充膜。由半导体衬垫膜的内表面限定的衬垫凹陷可以包括多个宽度延伸区域，并且随着在第二方向上距下部图案的上表面的距离增大，每个宽度延伸区域在第一方向上的宽度可以增大然后减小。