台积电取得半导体器件及其形成方法专利，提供了半导体器件lg...

摘要：金融界2023年12月20日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体器件及其形成方法“，授权公告号CN110970487B，申请日期为2019年9月。专利摘要显示，用于形成半导体器件的方法包括图案化衬底以形成带，该带包括第一半导体材料，沿着该带的侧壁形成隔离区域，该带的上部在隔离区域的顶面之上延伸，沿着该带的上部的侧壁和顶面形成伪结构，对该带的上部的暴露部分实施第一蚀刻工艺以形成第一凹槽，该带的暴露部分通过伪结构暴露，在实施第一蚀刻工艺之后，使用第二蚀刻工艺将第一凹槽重塑为具有V形底面，其中，第二蚀刻工艺相对于具有第二取向的第二晶面对具有第一取向的第一晶面具有选择性，以及在重塑第一凹槽中外延生长源极/漏极区域。本发明的实施例还提供了半导体器件。