晶合集成申请接触孔结构及其形成方法专利，有效阻止钨叠层中的硼向金属阻挡结构中扩散lg...

摘要：金融界2023年12月16日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种接触孔结构及其形成方法“，公开号CN117238848A，申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本发明提供一种接触孔结构及其形成方法，接触孔结构的形成方法包括：提供具有介质层的半导体衬底，在介质层中形成有接触孔；在接触孔中依次沉积金属阻挡结构、非晶硅阻挡层、硼硅阻挡层、钨叠层和钨碇层，钨碇层填充接触孔，钨叠层包括硼钨硅膜层和硼钨膜层，硼钨硅膜层靠近硼硅阻挡层设置；平坦化处理所述钨碇层。本发明通过非晶硅阻挡层、硼硅阻挡层、硼钨硅膜层和硼钨膜层构成一含硼的梯度结构，其取得了意想不到的技术效果是可以有效阻止钨叠层中的硼向金属阻挡结构中扩散，从而增加了钨叠层的粘附性，同时硼钨硅膜层的硬度提高了钨叠层的整体硬度，从而避免了研磨工艺中出现的钨叠层腐蚀问题的发生。